CSD23202W10

N/A
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Ólommentes / RoHS megfelelő
Diszkrét félvezető termékek

A # CSD23202W10 rész elérhető, lásd az CSD23202W10 leírását az alábbiak szerint.
használja a kérés idézet űrlapot az CSD23202W10 ár és az átfutási idő kéréséhez.
Vásároljon elektronikus alkatrészeket az zeanoit.com.
Az CSD23202W10 árának és átfutási idejének függvénye a szükséges mennyiségtől, a rendelkezésre állástól és a raktár helyétől függ. Lépjen kapcsolatba velünk, és értékesítési csapatunk hamarosan küld Önnek árajánlatot.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimális:1; üzletláncok:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Műszaki adatok
Vélemények
Fizetés
Szállítás
Csomagolás

Vgs (th) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Vgs (Max):	-6V
Technológia:	MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:	4-DSBGA (1x1)
Sorozat:	NexFET™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):	1W (Ta)
Csomagolás:	Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:	4-UFBGA, DSBGA
Üzemi hőmérséklet:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:	Surface Mount
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:	512pF @ 6V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
FET típus:	P-Channel
FET funkció:	-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):	1.5V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):	12V
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:	2.2A (Ta)