A Micron 3D NAND flash memória üzemét Szingapúrban hivatalosan 14-én fejezték be. Micron rámutatott, hogy ez olyan stratégia, amely az 5G, a mesterséges intelligencia és az autonóm vezetés területén olyan ügyfelek keresletének kezelésére irányul, és fontos elrendezés a Micron szingapúri flash memóriagyártó iparának átalakításához.

Szingapúr fontos alapja a Micron flash memória előállításának. A dinamikus véletlen hozzáférésű memória (DRAM) előállításának középpontjában Tajvan és Japán áll. Az elmúlt években a Micron kibővítette ázsiai befektetéseit. Japán továbbra is támogatja a fejlett DRAM folyamatokat, és megalapítja a Micron első 3D DRAM csomagolóüzemét Taichungban. A Taichungban és Taoyuanban található DRAM gyár a Micron DRAM kiválósági központja. A Micron megígérte, hogy bővíti Tajvan DRAM gyártási skáláját is. A vonatkozó tervet felülvizsgálat céljából benyújtották a Kínai Tudományos és Technológiai Ügynökség tajvani ágához. Remélem, hogy a kormány segíthet olyan problémák megoldásában, mint a föld, a víz és az áram.

Az új létesítmény része a Micron NAND Kiválósági Központjának, amely hosszú távú befektetéseit felhasználja Szingapúr infrastrukturális és technológiai szakértelmére, hogy elősegítse a 3D NAND Flash fejlesztését a tisztatéri és az átalakítási folyamatok kibővítésével.

A Micron NAND kiválósági központját a legmodernebb intelligens gyártási képességekkel tervezték, hogy kiterjesztéseket biztosítsanak a 3D NAND átalakítás több generációjára. Várakozással tekintve a szingapúri helyi beszállítókkal, egyetemekkel és kormányzati szervekkel folytatott együttmûködésnek az innováció és a siker érdekében, és megköszöni az érintett partnereknek és szervezeteknek a Micron terjeszkedési terveinek kibõvítését.

Összességében az új szingapúri létesítmény építése a 3D NANDFlash technológia fejlett csomópontjainak technológiai átalakítását jelenti az 5G, AI és az autonóm vezetési szektorok ügyféligényeire reagálva, miközben elősegíti a Micron jövőbeli növekedését.