SIS456DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Ólommentes / RoHS megfelelő
Diszkrét félvezető termékek
SIS456DN-T1-GE3.pdf

A # SIS456DN-T1-GE3 rész elérhető, lásd az SIS456DN-T1-GE3 leírását az alábbiak szerint.
használja a kérés idézet űrlapot az SIS456DN-T1-GE3 ár és az átfutási idő kéréséhez.
Vásároljon elektronikus alkatrészeket az zeanoit.com.
Az SIS456DN-T1-GE3 árának és átfutási idejének függvénye a szükséges mennyiségtől, a rendelkezésre állástól és a raktár helyétől függ. Lépjen kapcsolatba velünk, és értékesítési csapatunk hamarosan küld Önnek árajánlatot.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimális:1; üzletláncok:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Ár
3000	$0.426
6000	$0.405

Műszaki adatok
Vélemények
Fizetés
Szállítás
Csomagolás

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.2V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Technológia:	MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:	PowerPAK® 1212-8
Sorozat:	TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:	5.1 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max):	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás:	Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:	PowerPAK® 1212-8
Üzemi hőmérséklet:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:	Surface Mount
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:	1800pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:	55nC @ 10V
FET típus:	N-Channel
FET funkció:	-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):	4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):	30V
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:	35A (Tc)

Ha rossz összetettségeket kapott, amit nem rendeltél meg. Kutatjuk, hogy ki vállalja a felelősséget a kérdéssel kapcsolatban.

Ha ez a miénk, akkor a megfelelő összetevőket fogjuk szállítani az áruk cseréjéhez, miután helytelen komponenseket küldtünk vissza.

Ha ez a tiéd, az ügyfél felelősséget vállal erről. A részletekért vegye fel a kapcsolatot az ügyfélszolgálatunkkal vagy az értékesítéssel.

SIS456DN-T1-GE3

Request Quote

Bevásárlási folyamat

Kapcsolódó termékek

Találd meg, hogy keresel