RN1902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Ólommentes / RoHS megfelelő
Diszkrét félvezető termékek
RN1902FE,LF(CT.pdf

Cikkszám: RN1902FE,LF(CT Ez egy általánosan használt alkatrész? : Igen
Szállítás: HK vagy Szingapúr raktárból
Ugyanazon modellnek lehet több tétele, képei csak hivatkozás céljából.
ECAD modellek: Vegye fel velünk a kapcsolatot
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimális:1; üzletláncok:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Műszaki adatok
Vélemények
Fizetés
Szállítás
Csomagolás

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:	ES6
Sorozat:	-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):	1k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):	10k
Teljesítmény - Max:	100mW
Csomagolás:	Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:	SOT-563, SOT-666
Szerelési típus:	Surface Mount
Frekvencia - Átmenet:	250MHz
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	30 @ 10mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):	100mA

Ha rossz összetettségeket kapott, amit nem rendeltél meg. Kutatjuk, hogy ki vállalja a felelősséget a kérdéssel kapcsolatban.

Ha ez a miénk, akkor a megfelelő összetevőket fogjuk szállítani az áruk cseréjéhez, miután helytelen komponenseket küldtünk vissza.

Ha ez a tiéd, az ügyfél felelősséget vállal erről. A részletekért vegye fel a kapcsolatot az ügyfélszolgálatunkkal vagy az értékesítéssel.

RN1902FE,LF(CT

Request Quote

Bevásárlási folyamat

Kapcsolódó termékek

Találd meg, hogy keresel