APTM100VDA35T3G

Microsemi
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Ólommentes / RoHS megfelelő
Diszkrét félvezető termékek

Cikkszám: APTM100VDA35T3G Ez egy általánosan használt alkatrész? : Igen
Szállítás: HK vagy Szingapúr raktárból
Ugyanazon modellnek lehet több tétele, képei csak hivatkozás céljából.
ECAD modellek: Vegye fel velünk a kapcsolatot
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Műszaki adatok
Vélemények
Fizetés
Szállítás
Csomagolás

Vgs (th) (Max) @ Id:	5V @ 2.5mA
Szállító eszközcsomag:	SP3
Sorozat:	POWER MOS 7®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:	420 mOhm @ 11A, 10V
Teljesítmény - Max:	390W
Csomagolás:	Bulk
Csomagolás / tok:	SP3
Üzemi hőmérséklet:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:	Chassis Mount
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:	5200pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:	186nC @ 10V
FET típus:	2 N-Channel (Dual)
FET funkció:	Standard
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):	1000V (1kV)
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:	22A