CSD17579Q5AT

N/A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Ólommentes / RoHS megfelelő
Diszkrét félvezető termékek

1.Kérjük, erősítse meg a Részletet, amely a megrendelés során tartalmazza a termékek számát és a gyártót.
2.Ha anyagjegyzéket (BOM) igényel, akkor idézni kell.
3.További e-mailben küldhet nekünk e-mailt, hogy megváltoztassa a megrendelés adatait a szállítás előtt.
4.A csomagokat nem lehet törölni a csomagok szállítása után.

Request Quote

In Stock~~500 pcs~~: Minimális:1; üzletláncok:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Ár
250	$0.57
1250	$0.238

Műszaki adatok
Vélemények
Fizetés
Szállítás
Csomagolás

Vgs (th) (Max) @ Id:	2V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Technológia:	MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:	8-VSON (5x6)
Sorozat:	NexFET™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:	9.7 mOhm @ 8A, 10V
Teljesítményleadás (Max):	3.1W (Ta), 36W (Tc)
Csomagolás:	Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:	8-PowerTDFN
Üzemi hőmérséklet:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:	Surface Mount
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:	1030pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:	15.1nC @ 10V
FET típus:	N-Channel
FET funkció:	-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):	4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):	30V
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:	25A (Ta)

Ha rossz összetettségeket kapott, amit nem rendeltél meg. Kutatjuk, hogy ki vállalja a felelősséget a kérdéssel kapcsolatban.

Ha ez a miénk, akkor a megfelelő összetevőket fogjuk szállítani az áruk cseréjéhez, miután helytelen komponenseket küldtünk vissza.

Ha ez a tiéd, az ügyfél felelősséget vállal erről. A részletekért vegye fel a kapcsolatot az ügyfélszolgálatunkkal vagy az értékesítéssel.

CSD17579Q5AT

Request Quote

Bevásárlási folyamat

Kapcsolódó termékek

Találd meg, hogy keresel